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三星开发出寰球最小DRAM内存芯片 速度晋升10%_智能终端_云掌财经
2017-12-20 17:20
来源:未知
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三星电子

凤凰网科技讯 据韩联社北京时光12月20日报道,三星电子今天发布,公司已开端通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。

三星称,公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片,实现了新的冲破。2016年2月,三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。

另据路透社报道,三星开发的8Gb DDR4芯片是“全球最小;的DRAM芯片,扩大了当先对手的上风。在半导体业务的推进下,三星今年的营业利润有望创下纪录。

三星开发的8Gb DDR4芯片

三星称,香港六和葡京赌侠资料,和第一代10纳米级工艺相比,第二代工艺的产能进步30%,有助于公司满意全球客户一直飙升的DRAM芯片需要。而且,第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%,功耗下降15%。

作为寰球最大芯片制作商,三星表现,跟2012年应用20纳米工艺出产的4Gb DDR3芯片比拟,新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功能上都晋升了一倍。

三星称,公司盼望通过扩大10纳米级DRAM芯片的生产,进一步提升整体竞争力。三星还表示,公司将使用新工艺为客户生产更多优质产品,应用最新技巧提高,深挖服务器、挪动和图形芯片市场。三星将在2018年把现有多数DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。

三星在10月底为半导体部分等三大重要业务任命了新一代负责人。三星称,公司并不追求即时扩展芯片出货量,但会投资保持长期市场位置。(编译/箫雨)

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